标准名称: | 半导体分立器件 3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范 |
英文名称: | Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918 |
中标分类: | 矿业 >> 矿业综合 >> 技术管理 |
发布部门: | 中国电子工业总公司 |
发布日期: | 1992-11-19 |
实施日期: | 1993-05-01 |
首发日期: | 1900-01-01 |
作废日期: | 1900-01-01 |
提出单位: | 中国电子工业总公司科技质量局 |
归口单位: | 中国电子技术标准化研究所 |
起草单位: | 中国电子技术标准化研究所和国营九七零厂 |
起草人: | 王长福、长宗国、任继利、谢佩兰 |
出版社: | 电子工业出版社 |
出版日期: | 1993-04-01 |
页数: | 12页 |
本规范规定了3DG9l8型NPN硅超高频小功率晶体管(以某侧箍器件)的详细婆$b该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级).
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